1N5402
DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD
1N5402 Specifications
نوع التركيب：
Through Hole
تكنولوجيا：
Standard
Current - Reverse Leakage @ Vr：
10 µA @ 200 V
Current - Average Rectified (Io)：
3A
درجة حرارة التشغيل - الوصلة：
-55°C ~ 125°C
الحزمة / القضية：
DO-201AD, Axial
حزمة جهاز المورد：
DO-201AD
سرعة：
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى)：
200 V
السعة @ Vr، F：
50pF @ 4V, 1MHz
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If：
1.2 V @ 3 A
