DDTC123JLP-7
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A 3DFN
DDTC123JLP-7 Specifications
نوع التركيب：
Surface Mount
أقصى القوة：
250 mW
Current - Collector Cutoff (Max)：
500nA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)：
50 V
الحالي - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)：
100 mA
نوع الترانزستور：
NPN - Pre-Biased
Resistor - Emitter Base (R2)：
47 kOhms
Frequency - Transition：
250 MHz
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：
200mV @ 5mA, 50mA
Resistor - Base (R1)：
2.2 kOhms
الحزمة / القضية：
3-UFDFN
حزمة جهاز المورد：
X1-DFN1006-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：
180 @ 50mA, 5V
