DGD2190MS8-13
IC GATE DRV HALF-BRIDGE 8SO 2.5K
DGD2190MS8-13 Specifications
نوع التركيب：
Surface Mount
DigiKey Programmable：
Not Verified
درجة حرارة التشغيل：
-40°C ~ 125°C (TA)
الحزمة / القضية：
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
حزمة جهاز المورد：
8-SO
الجهد - العرض：
10V ~ 20V
نوع القناة：
Independent
عدد السائقين：
2
نوع الإدخال：
Non-Inverting
التكوين مدفوعة：
Half-Bridge
نوع البوابة：
IGBT, N-Channel MOSFET
الجهد المنطقي - VIL، VIH：
0.8V, 2.5V
High Side Voltage - Max (Bootstrap)：
600 V
وقت الصعود/السقوط (الطباع)：
25ns, 20ns
التيار - ذروة الخرج (المصدر، المغسلة)：
4.5A, 4.5A
