DMG7430LFGQ-13
MOSFET N-CH 30V 10.5A PWRDI3333
DMG7430LFGQ-13 Specifications
نوع التركيب：
Surface Mount
درجة：
Automotive
نوع فيت：
N-Channel
تكنولوجيا：
MOSFET (Metal Oxide)
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)：
4.5V, 10V
في جي إس (الحد الأقصى)：
±20V
درجة حرارة التشغيل：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.5V @ 250µA
الحزمة / القضية：
8-PowerVDFN
Qualification：
AEC-Q101
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)：
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية：
10.5A (Ta)
حزمة جهاز المورد：
POWERDI3333-8
Power Dissipation (Max)：
900mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id، Vgs：
11mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
26.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
1281 pF @ 15 V
