DMN1003UFDE-7
MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6
DMN1003UFDE-7 Specifications
نوع التركيب：
Surface Mount
نوع فيت：
N-Channel
تكنولوجيا：
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل：
-55°C ~ 150°C (TJ)
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية：
22A (Ta)
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)：
2.5V, 4.5V
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)：
12 V
في جي إس (الحد الأقصى)：
±8V
Vgs(th) (Max) @ Id：
1V @ 250µA
Power Dissipation (Max)：
800mW (Ta)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
45 nC @ 8 V
الحزمة / القضية：
6-PowerUDFN
حزمة جهاز المورد：
U-DFN2020-6 (Type E)
Rds On (Max) @ Id، Vgs：
3mOhm @ 15A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
2551 pF @ 6 V
