DMN10H170SFGQ-13
MOSFET N-CH 100V PWRDI3333
DMN10H170SFGQ-13 Specifications
نوع التركيب：
Surface Mount
درجة：
Automotive
نوع فيت：
N-Channel
تكنولوجيا：
MOSFET (Metal Oxide)
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)：
4.5V, 10V
في جي إس (الحد الأقصى)：
±20V
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)：
100 V
درجة حرارة التشغيل：
-55°C ~ 150°C (TJ)
الحزمة / القضية：
8-PowerVDFN
Qualification：
AEC-Q101
Vgs(th) (Max) @ Id：
3V @ 250µA
حزمة جهاز المورد：
POWERDI3333-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
14.9 nC @ 10 V
Power Dissipation (Max)：
940mW (Ta)
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية：
2.9A (Ta), 8.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs：
122mOhm @ 3.3A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
870.7 pF @ 25 V
