DMN2013UFDEQ-7
MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6
DMN2013UFDEQ-7 Specifications
نوع التركيب：
Surface Mount
درجة：
Automotive
نوع فيت：
N-Channel
تكنولوجيا：
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Qualification：
AEC-Q101
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)：
20 V
في جي إس (الحد الأقصى)：
±8V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)：
1.5V, 4.5V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية：
10.5A (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id：
1.1V @ 250µA
الحزمة / القضية：
6-PowerUDFN
Power Dissipation (Max)：
660mW (Ta)
حزمة جهاز المورد：
U-DFN2020-6 (Type E)
Rds On (Max) @ Id، Vgs：
11mOhm @ 8.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
25.8 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
2453 pF @ 10 V
