DMN2029UVT-13
MOSFET N-CH 6.8A TSOT26
DMN2029UVT-13 Specifications
نوع التركيب：
Surface Mount
الحزمة / القضية：
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
نوع فيت：
N-Channel
تكنولوجيا：
MOSFET (Metal Oxide)
في جي إس (الحد الأقصى)：
±10V
درجة حرارة التشغيل：
-55°C ~ 150°C (TJ)
حزمة جهاز المورد：
TSOT-26
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)：
2.5V, 4.5V
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)：
20 V
Vgs(th) (Max) @ Id：
1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max)：
700mW (Ta)
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية：
6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id، Vgs：
24mOhm @ 6.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
7.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
646 pF @ 10 V
