DMN2120UFCL-7
MOSFET N-CH 20V 1.8A 6UDFN
DMN2120UFCL-7 Specifications
نوع التركيب：
Surface Mount
نوع فيت：
N-Channel
تكنولوجيا：
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل：
-55°C ~ 150°C (TJ)
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)：
20 V
في جي إس (الحد الأقصى)：
±12V
Vgs(th) (Max) @ Id：
1V @ 250µA
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)：
1.8V, 4.5V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية：
1.8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
130 pF @ 10 V
الحزمة / القضية：
6-PowerUFDFN
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
2.8 nC @ 10 V
Power Dissipation (Max)：
450mW (Ta)
حزمة جهاز المورد：
U-DFN1616-6 (Type K)
Rds On (Max) @ Id، Vgs：
100mOhm @ 3.6A, 4.5V
