DMN21D2UFB-7
MOSFET BVDSS: 8V~24V X1-DFN1006-
DMN21D2UFB-7 Specifications
نوع التركيب：
Surface Mount
نوع فيت：
N-Channel
تكنولوجيا：
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل：
-55°C ~ 150°C (TJ)
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)：
20 V
في جي إس (الحد الأقصى)：
±12V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)：
1.5V, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id：
1V @ 250µA
الحزمة / القضية：
3-UFDFN
حزمة جهاز المورد：
X1-DFN1006-3
Rds On (Max) @ Id، Vgs：
990mOhm @ 100mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
27.6 pF @ 16 V
Power Dissipation (Max)：
380mW (Ta)
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية：
760mA (Ta)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
0.93 nC @ 10 V
