DMN22M5UFG-13
MOSFET BVDSS: 8V~24V POWERDI3333
DMN22M5UFG-13 Specifications
نوع التركيب：
Surface Mount
نوع فيت：
N-Channel
تكنولوجيا：
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل：
-55°C ~ 150°C (TJ)
الحزمة / القضية：
8-PowerVDFN
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
99 nC @ 10 V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)：
2.5V, 4.5V
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)：
20 V
في جي إس (الحد الأقصى)：
±12V
Vgs(th) (Max) @ Id：
1.3V @ 250µA
حزمة جهاز المورد：
POWERDI3333-8
Power Dissipation (Max)：
600mW (Ta)
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية：
24A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs：
2mOhm @ 13.5A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
3926 pF @ 10 V
