DMN2310UFD-7
MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN1212-3
DMN2310UFD-7 Specifications
نوع التركيب：
Surface Mount
نوع فيت：
N-Channel
تكنولوجيا：
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل：
-55°C ~ 150°C (TJ)
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)：
20 V
في جي إس (الحد الأقصى)：
±8V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)：
1.5V, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
38 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
0.7 nC @ 4.5 V
الحزمة / القضية：
3-PowerUDFN
حزمة جهاز المورد：
U-DFN1212-3 (Type C)
Vgs(th) (Max) @ Id：
950mV @ 250µA
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية：
1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id، Vgs：
240mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max)：
670mW (Ta)
