DMN2992UFB4-7B
MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN1006-
DMN2992UFB4-7B Specifications
نوع التركيب：
Surface Mount
نوع فيت：
N-Channel
تكنولوجيا：
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل：
-55°C ~ 150°C (TJ)
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)：
20 V
في جي إس (الحد الأقصى)：
±8V
Vgs(th) (Max) @ Id：
1V @ 250µA
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)：
1.8V, 4.5V
الحزمة / القضية：
3-XFDFN
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية：
830mA (Ta)
حزمة جهاز المورد：
X2-DFN1006-3
Rds On (Max) @ Id، Vgs：
990mOhm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max)：
380mW (Ta)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
0.41 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
15.6 pF @ 16 V
