DMN30H4D1S-13
MOSFET N-CH 300V 430MA SOT23
DMN30H4D1S-13 Specifications
نوع التركيب：
Surface Mount
نوع فيت：
N-Channel
تكنولوجيا：
MOSFET (Metal Oxide)
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)：
4.5V, 10V
في جي إس (الحد الأقصى)：
±20V
درجة حرارة التشغيل：
-55°C ~ 150°C (TJ)
الحزمة / القضية：
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
حزمة جهاز المورد：
SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id：
3V @ 250µA
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)：
300 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية：
430mA (Ta)
Power Dissipation (Max)：
360mW (Ta)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
4.8 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id، Vgs：
4Ohm @ 300mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
174 pF @ 25 V
