DMN31D5UFA-7B
MOSFET BVDSS: 25V~30V X2-DFN0806
DMN31D5UFA-7B Specifications
نوع التركيب:
Surface Mount
نوع فيت:
N-Channel
تكنولوجيا:
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل:
-55°C ~ 150°C (TJ)
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss):
30 V
في جي إس (الحد الأقصى):
±12V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق):
1.5V, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id:
1V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id، Vgs:
1.5Ohm @ 100mA, 4.5V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية:
400mA (Ta)
الحزمة / القضية:
3-XFDFN
حزمة جهاز المورد:
X2-DFN0806-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
0.3 nC @ 4.5 V
Power Dissipation (Max):
380mW (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
15.4 pF @ 15 V