DMN3732UFB4Q-7B
MOSFET BVDSS: 25V~30V X2-DFN1006
DMN3732UFB4Q-7B Specifications
نوع التركيب：
Surface Mount
درجة：
Automotive
نوع فيت：
N-Channel
تكنولوجيا：
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Qualification：
AEC-Q101
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)：
30 V
في جي إس (الحد الأقصى)：
±8V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)：
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id، Vgs：
460mOhm @ 200mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id：
950mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
0.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
40.8 pF @ 25 V
الحزمة / القضية：
3-XFDFN
حزمة جهاز المورد：
X2-DFN1006-3
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية：
1.3A (Ta)
Power Dissipation (Max)：
490mW (Ta)
