DMN39M1LK3-13
MOSFET BVDSS: 25V~30V TO252 T&R
DMN39M1LK3-13 Specifications
نوع التركيب：
Surface Mount
نوع فيت：
N-Channel
تكنولوجيا：
MOSFET (Metal Oxide)
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)：
4.5V, 10V
في جي إس (الحد الأقصى)：
±20V
درجة حرارة التشغيل：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.5V @ 250µA
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)：
30 V
الحزمة / القضية：
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
حزمة جهاز المورد：
TO-252 (DPAK)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
38.6 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id، Vgs：
5.5mOhm @ 30A, 10V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية：
17.9A (Ta), 89.3A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
2253 pF @ 15 V
Power Dissipation (Max)：
1.4W (Ta), 65.7W (Tc)
