DMN52D0UVT-13
MOSFET BVDSS: 41V~60V TSOT26 T&R
DMN52D0UVT-13 Specifications
نوع التركيب：
Surface Mount
الحزمة / القضية：
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
تكنولوجيا：
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل：
-55°C ~ 150°C (TJ)
حزمة جهاز المورد：
TSOT-26
Vgs(th) (Max) @ Id：
1V @ 250µA
إعدادات：
2 N-Channel
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)：
50V
Rds On (Max) @ Id، Vgs：
2Ohm @ 50mA, 5V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية：
430mA (Ta)
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs：
1.4nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds：
41pF @ 25V
أقصى القوة：
500µW (Ta)
