DMN6069SFVW-7
MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI333
DMN6069SFVW-7 Specifications
نوع التركيب：
Surface Mount, Wettable Flank
نوع فيت：
N-Channel
تكنولوجيا：
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)：
60 V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)：
4.5V, 10V
في جي إس (الحد الأقصى)：
±20V
درجة حرارة التشغيل：
-55°C ~ 150°C (TJ)
الحزمة / القضية：
8-PowerVDFN
Vgs(th) (Max) @ Id：
3V @ 250µA
Power Dissipation (Max)：
2.5W (Ta)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
14 nC @ 10 V
حزمة جهاز المورد：
PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية：
4A (Ta), 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs：
69mOhm @ 3A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
740 pF @ 30 V
