DMNH6010SCTB-13
MOSFET BVDSS: 41V~60V TO263 T&R
DMNH6010SCTB-13 Specifications
نوع التركيب：
Surface Mount
نوع فيت：
N-Channel
تكنولوجيا：
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)：
60 V
في جي إس (الحد الأقصى)：
±20V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)：
10V
درجة حرارة التشغيل：
-55°C ~ 175°C (TJ)
الحزمة / القضية：
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
حزمة جهاز المورد：
TO-263AB (D2PAK)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
46 nC @ 10 V
Vgs(th) (Max) @ Id：
4V @ 1mA
Rds On (Max) @ Id، Vgs：
10mOhm @ 25A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
2692 pF @ 25 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية：
133A (Tc)
Power Dissipation (Max)：
5W (Ta), 375W (Tc)
