DMNH6021SPSWQ-13
MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506
DMNH6021SPSWQ-13 Specifications
درجة：
Automotive
نوع التركيب：
Surface Mount, Wettable Flank
نوع فيت：
N-Channel
تكنولوجيا：
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)：
60 V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)：
4.5V, 10V
في جي إس (الحد الأقصى)：
±20V
درجة حرارة التشغيل：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Qualification：
AEC-Q101
الحزمة / القضية：
8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) @ Id：
3V @ 250µA
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية：
44A (Tc)
حزمة جهاز المورد：
PowerDI5060-8 (Type UX)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
20.1 nC @ 10 V
Power Dissipation (Max)：
1.6W
Rds On (Max) @ Id، Vgs：
23mOhm @ 12A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
1132 pF @ 30 V
