DMP1012USSQ-13
MOSFET BVDSS: 8V~24V SO-8 T&R 2.
DMP1012USSQ-13 Specifications
نوع التركيب：
Surface Mount
درجة：
Automotive
الحزمة / القضية：
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
حزمة جهاز المورد：
8-SO
تكنولوجيا：
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل：
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع فيت：
P-Channel
Qualification：
AEC-Q101
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)：
12 V
في جي إس (الحد الأقصى)：
±8V
Vgs(th) (Max) @ Id：
1V @ 250µA
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)：
1.8V, 4.5V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية：
8.5A (Ta)
Power Dissipation (Max)：
1.3W (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
1344 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
31 nC @ 8 V
Rds On (Max) @ Id، Vgs：
13.5mOhm @ 9A, 4.5V
