DMP2004UFG-13
MOSFET BVDSS: 8V~24V PowerDI3333
DMP2004UFG-13 Specifications
نوع التركيب：
Surface Mount
تكنولوجيا：
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل：
-55°C ~ 150°C (TJ)
الحزمة / القضية：
8-PowerVDFN
نوع فيت：
P-Channel
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)：
20 V
في جي إس (الحد الأقصى)：
±12V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
83 nC @ 10 V
Vgs(th) (Max) @ Id：
1.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max)：
1W (Ta)
حزمة جهاز المورد：
POWERDI3333-8
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)：
2.5V, 10V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية：
115A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs：
3mOhm @ 15A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
3840 pF @ 10 V
