DMP2109UVTQ-13
MOSFET BVDSS: 8V~24V TSOT26 T&R
DMP2109UVTQ-13 Specifications
نوع التركيب：
Surface Mount
درجة：
Automotive
الحزمة / القضية：
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
تكنولوجيا：
MOSFET (Metal Oxide)
في جي إس (الحد الأقصى)：
±10V
درجة حرارة التشغيل：
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع فيت：
P-Channel
Qualification：
AEC-Q101
Power Dissipation (Max)：
1.2W (Ta)
حزمة جهاز المورد：
TSOT-26
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)：
2.5V, 4.5V
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)：
20 V
Vgs(th) (Max) @ Id：
1V @ 250µA
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية：
3.7A (Ta)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
6 nC @ 4.5 V
Rds On (Max) @ Id، Vgs：
80mOhm @ 2.8A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
443 pF @ 10 V
