DMP2110UFDB-13
MOSFET 2P-CH 20V 3.2A 6UDFN
DMP2110UFDB-13 Specifications
نوع التركيب：
Surface Mount
تكنولوجيا：
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
1V @ 250µA
الحزمة / القضية：
6-UDFN Exposed Pad
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)：
20V
إعدادات：
2 P-Channel (Dual)
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية：
3.2A (Ta)
حزمة جهاز المورد：
U-DFN2020-6 (Type B)
Rds On (Max) @ Id، Vgs：
75mOhm @ 2.8A, 4.5V
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs：
12.7nC @ 8V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds：
443pF @ 10V
أقصى القوة：
820mW (Ta)
