DMP21D0UFB4-7R
MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN1006-
DMP21D0UFB4-7R Specifications
نوع التركيب：
Surface Mount
تكنولوجيا：
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل：
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع فيت：
P-Channel
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)：
20 V
في جي إس (الحد الأقصى)：
±8V
Vgs(th) (Max) @ Id：
1V @ 250µA
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)：
1.8V, 4.5V
الحزمة / القضية：
3-XFDFN
حزمة جهاز المورد：
X2-DFN1006-3
Power Dissipation (Max)：
430mW (Ta)
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية：
770mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id، Vgs：
495mOhm @ 400mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
1.5 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
76.5 pF @ 10 V
