DMP26M1UPS-13
MOSFET BVDSS: 8V~24V POWERDI5060
DMP26M1UPS-13 Specifications
نوع التركيب：
Surface Mount
تكنولوجيا：
MOSFET (Metal Oxide)
في جي إس (الحد الأقصى)：
±10V
درجة حرارة التشغيل：
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع فيت：
P-Channel
الحزمة / القضية：
8-PowerTDFN
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)：
2.5V, 4.5V
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)：
20 V
Vgs(th) (Max) @ Id：
1V @ 250µA
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية：
90A (Tc)
حزمة جهاز المورد：
PowerDI5060-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
164 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
5392 pF @ 10 V
Rds On (Max) @ Id، Vgs：
6mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max)：
1.34W
