DMP3045LVTQ-13
MOSFET BVDSS: 25V~30V TSOT26 T&R
DMP3045LVTQ-13 Specifications
نوع التركيب：
Surface Mount
درجة：
Automotive
الحزمة / القضية：
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
تكنولوجيا：
MOSFET (Metal Oxide)
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)：
4.5V, 10V
في جي إس (الحد الأقصى)：
±20V
درجة حرارة التشغيل：
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع فيت：
P-Channel
Qualification：
AEC-Q101
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)：
30 V
Power Dissipation (Max)：
1.6W (Ta)
حزمة جهاز المورد：
TSOT-26
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
14.3 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id، Vgs：
42mOhm @ 4.9A, 10V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية：
5.4A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
749 pF @ 15 V
