DMP31D7LFBQ-7B
MOSFET BVDSS: 25V~30V X1-DFN1006
DMP31D7LFBQ-7B Specifications
نوع التركيب：
Surface Mount
درجة：
Automotive
تكنولوجيا：
MOSFET (Metal Oxide)
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)：
4.5V, 10V
في جي إس (الحد الأقصى)：
±20V
درجة حرارة التشغيل：
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع فيت：
P-Channel
Qualification：
AEC-Q101
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)：
30 V
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.6V @ 250µA
الحزمة / القضية：
3-UFDFN
حزمة جهاز المورد：
X1-DFN1006-3
Rds On (Max) @ Id، Vgs：
900mOhm @ 420mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
0.36 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
19 pF @ 15 V
Power Dissipation (Max)：
530mW (Ta)
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية：
810mA (Ta)
