DMPH33M8SPSWQ-13
MOSFET BVDSS: 25V~30V PowerDI506
DMPH33M8SPSWQ-13 Specifications
نوع التركيب：
Surface Mount
درجة：
Automotive
تكنولوجيا：
MOSFET (Metal Oxide)
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)：
6V, 10V
في جي إس (الحد الأقصى)：
±20V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية：
100A (Tc)
درجة حرارة التشغيل：
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع فيت：
P-Channel
Qualification：
AEC-Q101
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)：
30 V
الحزمة / القضية：
8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) @ Id：
3V @ 250µA
Power Dissipation (Max)：
1.7W (Ta)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
81 nC @ 10 V
حزمة جهاز المورد：
PowerDI5060-8 (Type Q)
Rds On (Max) @ Id، Vgs：
3.8mOhm @ 20A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
3775 pF @ 15 V
