DMT10H009SCG-7
MOSFET BVDSS: 61V~100V V-DFN3333
DMT10H009SCG-7 Specifications
نوع التركيب：
Surface Mount
نوع فيت：
N-Channel
تكنولوجيا：
MOSFET (Metal Oxide)
في جي إس (الحد الأقصى)：
±20V
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)：
100 V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)：
10V
درجة حرارة التشغيل：
-55°C ~ 150°C (TJ)
الحزمة / القضية：
8-PowerVDFN
Vgs(th) (Max) @ Id：
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
30 nC @ 10 V
Power Dissipation (Max)：
1.3W (Ta)
حزمة جهاز المورد：
V-DFN3333-8 (Type B)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
2085 pF @ 50 V
Rds On (Max) @ Id، Vgs：
9.5mOhm @ 20A, 10V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية：
14A (Ta), 48A (Tc)
