DMT10H015SK3-13
MOSFET N-CH 100V 54A TO252
DMT10H015SK3-13 Specifications
نوع التركيب：
Surface Mount
نوع فيت：
N-Channel
تكنولوجيا：
MOSFET (Metal Oxide)
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)：
6V, 10V
في جي إس (الحد الأقصى)：
±20V
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)：
100 V
درجة حرارة التشغيل：
-55°C ~ 150°C (TJ)
الحزمة / القضية：
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) @ Id：
4V @ 250µA
حزمة جهاز المورد：
TO-252 (DPAK)
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية：
54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs：
14mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
30.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
2343 pF @ 50 V
Power Dissipation (Max)：
1.8W (Ta), 4.2W (Tc)
