DMT10H032LFVW-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
DMT10H032LFVW-13 Specifications
نوع التركيب：
Surface Mount, Wettable Flank
نوع فيت：
N-Channel
تكنولوجيا：
MOSFET (Metal Oxide)
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)：
4.5V, 10V
في جي إس (الحد الأقصى)：
±20V
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)：
100 V
درجة حرارة التشغيل：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.5V @ 250µA
الحزمة / القضية：
8-PowerVDFN
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية：
17A (Tc)
Power Dissipation (Max)：
1.3W (Ta)
حزمة جهاز المورد：
PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
11.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
683 pF @ 50 V
Rds On (Max) @ Id، Vgs：
32mOhm @ 10A, 10V
