DMT12H007LPS-13
MOSFET N-CH 120V 90A PWRDI5060-8
DMT12H007LPS-13 Specifications
نوع التركيب：
Surface Mount
نوع فيت：
N-Channel
تكنولوجيا：
MOSFET (Metal Oxide)
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)：
4.5V, 10V
في جي إس (الحد الأقصى)：
±20V
درجة حرارة التشغيل：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.5V @ 250µA
الحزمة / القضية：
8-PowerTDFN
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية：
90A (Tc)
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)：
120 V
حزمة جهاز المورد：
PowerDI5060-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
49 nC @ 10 V
Power Dissipation (Max)：
2.9W
Rds On (Max) @ Id، Vgs：
7.8mOhm @ 30A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
3224 pF @ 60 V
