DMT12H060LFDF-13
MOSFET BVDSS: 101V~250V U-DFN202
DMT12H060LFDF-13 Specifications
نوع التركيب：
Surface Mount
نوع فيت：
N-Channel
تكنولوجيا：
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل：
-55°C ~ 150°C (TJ)
في جي إس (الحد الأقصى)：
±8V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)：
1.5V, 4.5V
الحزمة / القضية：
6-UDFN Exposed Pad
حزمة جهاز المورد：
U-DFN2020-6 (Type F)
Power Dissipation (Max)：
1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id：
1.4V @ 250µA
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية：
4.4A (Ta)
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)：
115 V
Rds On (Max) @ Id، Vgs：
65mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
7.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
475 pF @ 50 V
