DMT12H065LFDF-7
MOSFET N-CH 115V 4.3A 6UDFN
DMT12H065LFDF-7 Specifications
نوع التركيب：
Surface Mount
نوع فيت：
N-Channel
تكنولوجيا：
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.2V @ 250µA
في جي إس (الحد الأقصى)：
±12V
الحزمة / القضية：
6-UDFN Exposed Pad
حزمة جهاز المورد：
U-DFN2020-6 (Type F)
Power Dissipation (Max)：
1W (Ta)
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية：
4.3A (Ta)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
5.5 nC @ 10 V
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)：
115 V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)：
3V, 10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs：
65mOhm @ 3A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
252 pF @ 50 V
