DMT15H035SCT
MOSFET BVDSS: 101V~250V TO220AB
DMT15H035SCT Specifications
نوع التركيب：
Through Hole
نوع فيت：
N-Channel
تكنولوجيا：
MOSFET (Metal Oxide)
في جي إس (الحد الأقصى)：
±20V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)：
10V
درجة حرارة التشغيل：
-55°C ~ 150°C (TJ)
الحزمة / القضية：
TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id：
4V @ 250µA
حزمة جهاز المورد：
TO-220-3
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)：
150 V
Rds On (Max) @ Id، Vgs：
35mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
25 nC @ 10 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية：
46A (Tc)
Power Dissipation (Max)：
2.2W (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
1600 pF @ 75 V
