DMT15H053SSS-13
MOSFET N-CH 150V 5.2A/15A 8SO
DMT15H053SSS-13 Specifications
نوع التركيب：
Surface Mount
الحزمة / القضية：
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
حزمة جهاز المورد：
8-SO
نوع فيت：
N-Channel
تكنولوجيا：
MOSFET (Metal Oxide)
في جي إس (الحد الأقصى)：
±20V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)：
10V
درجة حرارة التشغيل：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
4V @ 250µA
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)：
150 V
Power Dissipation (Max)：
1.3W (Ta)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
11.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
814 pF @ 75 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية：
5.2A (Ta), 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs：
53mOhm @ 4.1A, 10V
