DMT3006LFDFQ-7
MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-
DMT3006LFDFQ-7 Specifications
نوع التركيب：
Surface Mount
درجة：
Automotive
نوع فيت：
N-Channel
تكنولوجيا：
MOSFET (Metal Oxide)
في جي إس (الحد الأقصى)：
±20V
درجة حرارة التشغيل：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Qualification：
AEC-Q101
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)：
30 V
Vgs(th) (Max) @ Id：
3V @ 250µA
الحزمة / القضية：
6-UDFN Exposed Pad
حزمة جهاز المورد：
U-DFN2020-6 (Type F)
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية：
14.1A (Ta)
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)：
3.7V, 10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs：
7mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max)：
800mW
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
1155 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
8.4 nC @ 10 V
