DMT30M9LPS-13
MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI506
DMT30M9LPS-13 Specifications
نوع التركيب：
Surface Mount
نوع فيت：
N-Channel
تكنولوجيا：
MOSFET (Metal Oxide)
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)：
4.5V, 10V
في جي إس (الحد الأقصى)：
±20V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية：
100A (Tc)
درجة حرارة التشغيل：
-55°C ~ 150°C (TJ)
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)：
30 V
الحزمة / القضية：
8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) @ Id：
3V @ 250µA
حزمة جهاز المورد：
PowerDI5060-8 (Type K)
Power Dissipation (Max)：
2.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id، Vgs：
1mOhm @ 25A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
160.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
12121 pF @ 20 V
