DMT31M7LSS-13
MOSFET BVDSS: 25V~30V SO-8 T&R 2
DMT31M7LSS-13 Specifications
نوع التركيب：
Surface Mount
الحزمة / القضية：
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
حزمة جهاز المورد：
8-SO
نوع فيت：
N-Channel
تكنولوجيا：
MOSFET (Metal Oxide)
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)：
4.5V, 10V
في جي إس (الحد الأقصى)：
±20V
درجة حرارة التشغيل：
-55°C ~ 150°C (TJ)
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)：
30 V
Vgs(th) (Max) @ Id：
3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
84 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id، Vgs：
2.7mOhm @ 20A, 10V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية：
25A (Ta), 78A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
5492 pF @ 15 V
Power Dissipation (Max)：
1.7W (Ta), 5.9W (Tc)
