DMT32M4LFG-13
MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI333
DMT32M4LFG-13 Specifications
نوع التركيب：
Surface Mount
نوع فيت：
N-Channel
تكنولوجيا：
MOSFET (Metal Oxide)
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)：
4.5V, 10V
في جي إس (الحد الأقصى)：
±20V
درجة حرارة التشغيل：
-55°C ~ 150°C (TJ)
الحزمة / القضية：
8-PowerVDFN
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)：
30 V
Vgs(th) (Max) @ Id：
3V @ 250µA
حزمة جهاز المورد：
POWERDI3333-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
67 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id، Vgs：
1.7mOhm @ 20A, 10V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية：
30A (Ta), 100A (Tc)
Power Dissipation (Max)：
1.1W
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
4366 pF @ 15 V
