DMT32M4LPSW-13
MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI506
DMT32M4LPSW-13 Specifications
نوع التركيب：
Surface Mount, Wettable Flank
نوع فيت：
N-Channel
تكنولوجيا：
MOSFET (Metal Oxide)
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)：
4.5V, 10V
في جي إس (الحد الأقصى)：
±20V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية：
100A (Tc)
درجة حرارة التشغيل：
-55°C ~ 150°C (TJ)
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)：
30 V
الحزمة / القضية：
8-PowerTDFN
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
68 nC @ 10 V
Vgs(th) (Max) @ Id：
3V @ 1mA
حزمة جهاز المورد：
PowerDI5060-8 (Type UX)
Rds On (Max) @ Id، Vgs：
1.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max)：
2.3W (Ta), 83W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
3944 pF @ 15 V
