DMT34M8LFDE-7
MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-
DMT34M8LFDE-7 Specifications
نوع التركيب：
Surface Mount
نوع فيت：
N-Channel
تكنولوجيا：
MOSFET (Metal Oxide)
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)：
4.5V, 10V
في جي إس (الحد الأقصى)：
±20V
درجة حرارة التشغيل：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.5V @ 250µA
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)：
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية：
19A (Ta)
Power Dissipation (Max)：
1.1W (Ta)
الحزمة / القضية：
6-PowerUDFN
حزمة جهاز المورد：
U-DFN2020-6 (Type E)
Rds On (Max) @ Id، Vgs：
4mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
15.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
1024 pF @ 15 V
