DMT4008LFDF-13
MOSFET BVDSS: 31V~40V U-DFN2020-
DMT4008LFDF-13 Specifications
نوع التركيب：
Surface Mount
نوع فيت：
N-Channel
تكنولوجيا：
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)：
40 V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)：
4.5V, 10V
في جي إس (الحد الأقصى)：
±20V
درجة حرارة التشغيل：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
3V @ 250µA
الحزمة / القضية：
6-UDFN Exposed Pad
حزمة جهاز المورد：
U-DFN2020-6 (Type F)
Rds On (Max) @ Id، Vgs：
9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max)：
800mW (Ta)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
17.1 nC @ 10 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية：
11.8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
1179 pF @ 20 V
