DMT6012LFV-7
MOSFET N-CH 60V 43.3A PWRDI3333
DMT6012LFV-7 Specifications
نوع التركيب：
Surface Mount
نوع فيت：
N-Channel
تكنولوجيا：
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)：
60 V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)：
4.5V, 10V
في جي إس (الحد الأقصى)：
±20V
درجة حرارة التشغيل：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.5V @ 250µA
الحزمة / القضية：
8-PowerVDFN
حزمة جهاز المورد：
PowerDI3333-8 (Type UX)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
22.2 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id، Vgs：
12mOhm @ 20A, 10V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية：
43.3A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
1522 pF @ 30 V
Power Dissipation (Max)：
1.95W (Ta), 33.78W (Tc)
