DMT6012LPSW-13
MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506
DMT6012LPSW-13 Specifications
نوع التركيب：
Surface Mount, Wettable Flank
نوع فيت：
N-Channel
تكنولوجيا：
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)：
60 V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)：
4.5V, 10V
في جي إس (الحد الأقصى)：
±20V
درجة حرارة التشغيل：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.5V @ 250µA
الحزمة / القضية：
8-PowerTDFN
حزمة جهاز المورد：
PowerDI5060-8 (Type UX)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
22.2 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id، Vgs：
12mOhm @ 20A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
1522 pF @ 30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية：
13.1A (Ta), 31.5A (Tc)
Power Dissipation (Max)：
3.1W (Ta), 17.9W (Tc)
