DMT6015LFVW-7
MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI333
DMT6015LFVW-7 Specifications
نوع التركيب：
Surface Mount, Wettable Flank
نوع فيت：
N-Channel
تكنولوجيا：
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)：
60 V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)：
4.5V, 10V
درجة حرارة التشغيل：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.5V @ 250µA
الحزمة / القضية：
8-PowerVDFN
في جي إس (الحد الأقصى)：
±16V
حزمة جهاز المورد：
PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Rds On (Max) @ Id، Vgs：
16mOhm @ 10A, 10V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية：
10A (Ta), 31.8A (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
15.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
808 pF @ 30 V
Power Dissipation (Max)：
2.8W (Ta), 28.4W (Tc)
