DMT6030LFDF-7
MOSFET N-CH 60V 6.8A 6UDFN
DMT6030LFDF-7 Specifications
نوع التركيب：
Surface Mount
نوع فيت：
N-Channel
تكنولوجيا：
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)：
60 V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)：
4.5V, 10V
في جي إس (الحد الأقصى)：
±20V
درجة حرارة التشغيل：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.5V @ 250µA
الحزمة / القضية：
6-UDFN Exposed Pad
حزمة جهاز المورد：
U-DFN2020-6 (Type F)
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية：
6.8A (Ta)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
9.1 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id، Vgs：
25.5mOhm @ 6.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
639 pF @ 30 V
Power Dissipation (Max)：
860mW (Ta), 9.62W (Tc)
