DMT616MLSS-13
MOSFET N-CH 60V 10A 8SO
DMT616MLSS-13 Specifications
نوع التركيب：
Surface Mount
الحزمة / القضية：
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
حزمة جهاز المورد：
8-SOP
نوع فيت：
N-Channel
تكنولوجيا：
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)：
60 V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)：
4.5V, 10V
في جي إس (الحد الأقصى)：
±20V
درجة حرارة التشغيل：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.2V @ 250µA
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية：
10A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
785 pF @ 30 V
Rds On (Max) @ Id، Vgs：
14mOhm @ 8.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
13.6 nC @ 10 V
Power Dissipation (Max)：
1.39W (Ta)
